ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR10EZHF7501

MCR10EZHF7501

ნაწილი საფონდო: 2587

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ161

MCR10EZHJ161

ნაწილი საფონდო: 2677

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8061

MCR10EZHF8061

ნაწილი საფონდო: 2618

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4703

MCR10EZHF4703

ნაწილი საფონდო: 2523

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1131

MCR10EZHF1131

ნაწილი საფონდო: 2239

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2940

MCR10EZHF2940

ნაწილი საფონდო: 2391

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1820

MCR10EZHF1820

ნაწილი საფონდო: 4289

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1432

MCR10EZHF1432

ნაწილი საფონდო: 4284

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF11R5

MCR18EZHF11R5

ნაწილი საფონდო: 2871

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1024

MCR18EZHF1024

ნაწილი საფონდო: 2902

წინააღმდეგობა: 1.02 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1180

MCR18EZHF1180

ნაწილი საფონდო: 2902

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ390

MCR10EZHJ390

ნაწილი საფონდო: 4303

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1433

MCR10EZHF1433

ნაწილი საფონდო: 2317

წინააღმდეგობა: 143 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ361

MCR10EZHJ361

ნაწილი საფონდო: 2741

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ912

MCR10EZHJ912

ნაწილი საფონდო: 2821

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1821

MCR10EZHF1821

ნაწილი საფონდო: 2344

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6193

MCR10EZHF6193

ნაწილი საფონდო: 2620

წინააღმდეგობა: 619 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ220

MCR10EZHJ220

ნაწილი საფონდო: 2786

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2260

MCR10EZHF2260

ნაწილი საფონდო: 2378

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8202

MCR10EZHF8202

ნაწილი საფონდო: 2694

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF11R8

MCR10EZHF11R8

ნაწილი საფონდო: 2175

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ105

MCR10EZHJ105

ნაწილი საფონდო: 2684

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2323

MCR10EZHF2323

ნაწილი საფონდო: 2345

წინააღმდეგობა: 232 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF88R7

MCR10EZHF88R7

ნაწილი საფონდო: 2712

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1150

MCR10EZHF1150

ნაწილი საფონდო: 2192

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1050

MCR18EZHF1050

ნაწილი საფონდო: 4377

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1130

MCR18EZHF1130

ნაწილი საფონდო: 2905

წინააღმდეგობა: 113 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF13R3

MCR10EZHF13R3

ნაწილი საფონდო: 2303

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1963

MCR10EZHF1963

ნაწილი საფონდო: 2370

წინააღმდეგობა: 196 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1102

MCR10EZHF1102

ნაწილი საფონდო: 2181

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1212

MCR10EZHF1212

ნაწილი საფონდო: 2262

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF8450

MCR10EZHF8450

ნაწილი საფონდო: 2677

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF68R1

MCR10EZHF68R1

ნაწილი საფონდო: 2576

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF10R2

MCR18EZHF10R2

ნაწილი საფონდო: 4304

წინააღმდეგობა: 10.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1184

MCR18EZHF1184

ნაწილი საფონდო: 2888

წინააღმდეგობა: 1.18 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1822

MCR10EZHF1822

ნაწილი საფონდო: 2349

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი