Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
RF05VA2STR
Rohm Semiconductor

RF05VA2STR

ნაწილი საფონდო: 148427

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RBR3L40BTE25
Rohm Semiconductor

RBR3L40BTE25

ნაწილი საფონდო: 158676

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168LAM100TFTR
Rohm Semiconductor

RB168LAM100TFTR

ნაწილი საფონდო: 8469

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB060MM-40TR
Rohm Semiconductor

RB060MM-40TR

ნაწილი საფონდო: 126015

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB050L-40TE25
Rohm Semiconductor

RB050L-40TE25

ნაწილი საფონდო: 132612

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB886CST2R
Rohm Semiconductor

RB886CST2R

ნაწილი საფონდო: 126915

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB068L-60TE25
Rohm Semiconductor

RB068L-60TE25

ნაწილი საფონდო: 148334

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1LAM60ATR
Rohm Semiconductor

RBR1LAM60ATR

ნაწილი საფონდო: 198967

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168M150TR
Rohm Semiconductor

RB168M150TR

ნაწილი საფონდო: 163009

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RSX071VA-30TR
Rohm Semiconductor

RSX071VA-30TR

ნაწილი საფონდო: 130407

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2L40ATE25
Rohm Semiconductor

RBR2L40ATE25

ნაწილი საფონდო: 142457

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RSX051VA-30TR
Rohm Semiconductor

RSX051VA-30TR

ნაწილი საფონდო: 101000

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 390mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168LAM150TR
Rohm Semiconductor

RB168LAM150TR

ნაწილი საფონდო: 153324

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB162M-60TR
Rohm Semiconductor

RB162M-60TR

ნაწილი საფონდო: 121079

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB055LA-40TR
Rohm Semiconductor

RB055LA-40TR

ნაწილი საფონდო: 173134

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB751VM-40TE-17
Rohm Semiconductor

RB751VM-40TE-17

ნაწილი საფონდო: 122740

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB162LAM-60TR
Rohm Semiconductor

RB162LAM-60TR

ნაწილი საფონდო: 194284

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168LAM-40TFTR
Rohm Semiconductor

RB168LAM-40TFTR

ნაწილი საფონდო: 8476

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB068LAM-60TR
Rohm Semiconductor

RB068LAM-60TR

ნაწილი საფონდო: 170105

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160VA-40TR
Rohm Semiconductor

RB160VA-40TR

ნაწილი საფონდო: 125965

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB161L-40TE25
Rohm Semiconductor

RB161L-40TE25

ნაწილი საფონდო: 109440

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 400mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2LAM30ATR
Rohm Semiconductor

RBR2LAM30ATR

ნაწილი საფონდო: 144212

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160M-50TR
Rohm Semiconductor

RB160M-50TR

ნაწილი საფონდო: 173669

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 360mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB056L-40TE25
Rohm Semiconductor

RB056L-40TE25

ნაწილი საფონდო: 196885

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168LAM-60TR
Rohm Semiconductor

RB168LAM-60TR

ნაწილი საფონდო: 178376

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB051M-2YTR
Rohm Semiconductor

RB051M-2YTR

ნაწილი საფონდო: 118363

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1MM30ATR
Rohm Semiconductor

RBR1MM30ATR

ნაწილი საფონდო: 146721

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RFN1L7STE25
Rohm Semiconductor

RFN1L7STE25

ნაწილი საფონდო: 177255

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 800mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 800mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 80ns,

სასურველი
RRE02VS4SGTR
Rohm Semiconductor

RRE02VS4SGTR

ნაწილი საფონდო: 123146

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168LAM-30TR
Rohm Semiconductor

RB168LAM-30TR

ნაწილი საფონდო: 111694

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB060M-60DDTR
Rohm Semiconductor

RB060M-60DDTR

ნაწილი საფონდო: 136388

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB150M-30TR
Rohm Semiconductor

RB150M-30TR

ნაწილი საფონდო: 155982

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB055L-30TE25
Rohm Semiconductor

RB055L-30TE25

ნაწილი საფონდო: 122475

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB068L-40TE25
Rohm Semiconductor

RB068L-40TE25

ნაწილი საფონდო: 105902

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2LAM40ATFTR
Rohm Semiconductor

RBR2LAM40ATFTR

ნაწილი საფონდო: 8520

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR3LAM30BTFTR
Rohm Semiconductor

RBR3LAM30BTFTR

ნაწილი საფონდო: 8464

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი