Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
RRE07VSM4STR
Rohm Semiconductor

RRE07VSM4STR

ნაწილი საფონდო: 115939

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RSX201LAM30TR
Rohm Semiconductor

RSX201LAM30TR

ნაწილი საფონდო: 9970

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 440mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160M-40TR
Rohm Semiconductor

RB160M-40TR

ნაწილი საფონდო: 340

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RLS-73TE-11
Rohm Semiconductor

RLS-73TE-11

ნაწილი საფონდო: 317

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 130mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი
RF505B6STL
Rohm Semiconductor

RF505B6STL

ნაწილი საფონდო: 9918

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
RLS4448TE-11
Rohm Semiconductor

RLS4448TE-11

ნაწილი საფონდო: 273

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი
RLS245TE-11
Rohm Semiconductor

RLS245TE-11

ნაწილი საფონდო: 262

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 220V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
RLS4150TE-11
Rohm Semiconductor

RLS4150TE-11

ნაწილი საფონდო: 295

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი
RB721Q-40T-77
Rohm Semiconductor

RB721Q-40T-77

ნაწილი საფონდო: 338

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
SCS215AGC
Rohm Semiconductor

SCS215AGC

ნაწილი საფონდო: 9902

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 15A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
RB441Q-40T-77
Rohm Semiconductor

RB441Q-40T-77

ნაწილი საფონდო: 331

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
SCS210KGC
Rohm Semiconductor

SCS210KGC

ნაწილი საფონდო: 7464

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
SCS208AMC
Rohm Semiconductor

SCS208AMC

ნაწილი საფონდო: 16304

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
RB520S-40TE61
Rohm Semiconductor

RB520S-40TE61

ნაწილი საფონდო: 142694

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB520CS-30T2RA
Rohm Semiconductor

RB520CS-30T2RA

ნაწილი საფონდო: 112827

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB051MM-2YTR
Rohm Semiconductor

RB051MM-2YTR

ნაწილი საფონდო: 139624

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RR268MM-600TR
Rohm Semiconductor

RR268MM-600TR

ნაწილი საფონდო: 24389

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB521ZS-30T2R
Rohm Semiconductor

RB521ZS-30T2R

ნაწილი საფონდო: 164457

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RBR2LAM60BTFTR
Rohm Semiconductor

RBR2LAM60BTFTR

ნაწილი საფონდო: 16220

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB520SM-30T2R
Rohm Semiconductor

RB520SM-30T2R

ნაწილი საფონდო: 177498

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB521G-30T2R
Rohm Semiconductor

RB521G-30T2R

ნაწილი საფონდო: 123241

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB160LAM-40TR
Rohm Semiconductor

RB160LAM-40TR

ნაწილი საფონდო: 102598

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB551V-30TE-17
Rohm Semiconductor

RB551V-30TE-17

ნაწილი საფონდო: 140984

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1LAM30ATR
Rohm Semiconductor

RBR1LAM30ATR

ნაწილი საფონდო: 150201

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB050LAM-60TR
Rohm Semiconductor

RB050LAM-60TR

ნაწილი საფონდო: 16261

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2MM30ATR
Rohm Semiconductor

RBR2MM30ATR

ნაწილი საფონდო: 142864

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SCS206AMC
Rohm Semiconductor

SCS206AMC

ნაწილი საფონდო: 20199

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
RFN2LAM6STR
Rohm Semiconductor

RFN2LAM6STR

ნაწილი საფონდო: 163012

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
SCS110AMC
Rohm Semiconductor

SCS110AMC

ნაწილი საფონდო: 9535

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
RB400DT146
Rohm Semiconductor

RB400DT146

ნაწილი საფონდო: 189376

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RRU1LAM4STR
Rohm Semiconductor

RRU1LAM4STR

ნაწილი საფონდო: 181166

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 800mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 400ns,

სასურველი
RB521CM-30T2R
Rohm Semiconductor

RB521CM-30T2R

ნაწილი საფონდო: 188610

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 10mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2LAM60ATFTR
Rohm Semiconductor

RBR2LAM60ATFTR

ნაწილი საფონდო: 16264

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SCS210AJTLL
Rohm Semiconductor

SCS210AJTLL

ნაწილი საფონდო: 28717

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
RB168VYM-60FHTR
Rohm Semiconductor

RB168VYM-60FHTR

ნაწილი საფონდო: 16238

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 6.15ns,

სასურველი
RB161SS-20T2R
Rohm Semiconductor

RB161SS-20T2R

ნაწილი საფონდო: 172697

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი