Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
RF201LAM4STR
Rohm Semiconductor

RF201LAM4STR

ნაწილი საფონდო: 16211

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
RBR3LAM40ATR
Rohm Semiconductor

RBR3LAM40ATR

ნაწილი საფონდო: 16266

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RLS139TE-11
Rohm Semiconductor

RLS139TE-11

ნაწილი საფონდო: 9956

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 130mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
RF101LAM4STR
Rohm Semiconductor

RF101LAM4STR

ნაწილი საფონდო: 162822

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
SCS105KGC
Rohm Semiconductor

SCS105KGC

ნაწილი საფონდო: 8119

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.75V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
RB578VAM100TR
Rohm Semiconductor

RB578VAM100TR

ნაწილი საფონდო: 108992

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RRE04EA4DTR
Rohm Semiconductor

RRE04EA4DTR

ნაწილი საფონდო: 128252

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB420DT146
Rohm Semiconductor

RB420DT146

ნაწილი საფონდო: 147320

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RSX301LAM30TR
Rohm Semiconductor

RSX301LAM30TR

ნაწილი საფონდო: 160819

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1LAM60ATFTR
Rohm Semiconductor

RBR1LAM60ATFTR

ნაწილი საფონდო: 16238

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RRE07VSM6STR
Rohm Semiconductor

RRE07VSM6STR

ნაწილი საფონდო: 139452

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160VYM-60FHTR
Rohm Semiconductor

RB160VYM-60FHTR

ნაწილი საფონდო: 24336

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 6.65ns,

სასურველი
RSX101MM-30TR
Rohm Semiconductor

RSX101MM-30TR

ნაწილი საფონდო: 124158

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 390mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1MM60ATR
Rohm Semiconductor

RBR1MM60ATR

ნაწილი საფონდო: 120809

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB068LAM100TR
Rohm Semiconductor

RB068LAM100TR

ნაწილი საფონდო: 128930

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB530CM-60T2R
Rohm Semiconductor

RB530CM-60T2R

ნაწილი საფონდო: 178589

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 15mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB161MM-20TR
Rohm Semiconductor

RB161MM-20TR

ნაწილი საფონდო: 122571

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 25V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB058LAM150TR
Rohm Semiconductor

RB058LAM150TR

ნაწილი საფონდო: 115876

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2LAM40ATR
Rohm Semiconductor

RBR2LAM40ATR

ნაწილი საფონდო: 173316

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR3LAM60ATFTR
Rohm Semiconductor

RBR3LAM60ATFTR

ნაწილი საფონდო: 24380

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB751SM-40T2R
Rohm Semiconductor

RB751SM-40T2R

ნაწილი საფონდო: 123493

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB550SS-30T2R
Rohm Semiconductor

RB550SS-30T2R

ნაწილი საფონდო: 192422

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB060MM-60TR
Rohm Semiconductor

RB060MM-60TR

ნაწილი საფონდო: 123341

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RR1LAM6STR
Rohm Semiconductor

RR1LAM6STR

ნაწილი საფონდო: 124979

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2LAM60BTR
Rohm Semiconductor

RBR2LAM60BTR

ნაწილი საფონდო: 166607

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160MM-60TR
Rohm Semiconductor

RB160MM-60TR

ნაწილი საფონდო: 107914

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB058LAM-60TFTR
Rohm Semiconductor

RB058LAM-60TFTR

ნაწილი საფონდო: 24303

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35.3ns,

სასურველი
RB530S-30TE61
Rohm Semiconductor

RB530S-30TE61

ნაწილი საფონდო: 170173

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB160VAM-40TR
Rohm Semiconductor

RB160VAM-40TR

ნაწილი საფონდო: 138260

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB521S-40TE61
Rohm Semiconductor

RB521S-40TE61

ნაწილი საფონდო: 114286

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 540mV @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RFN1LAM6STR
Rohm Semiconductor

RFN1LAM6STR

ნაწილი საფონდო: 168631

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 800mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.45V @ 800mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
RR1VWM6STFTR
Rohm Semiconductor

RR1VWM6STFTR

ნაწილი საფონდო: 24373

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RF071MM2STR
Rohm Semiconductor

RF071MM2STR

ნაწილი საფონდო: 169777

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RF101LAM2STR
Rohm Semiconductor

RF101LAM2STR

ნაწილი საფონდო: 137255

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 870mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RF05VAM2STR
Rohm Semiconductor

RF05VAM2STR

ნაწილი საფონდო: 124758

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RB050LAM-40TR
Rohm Semiconductor

RB050LAM-40TR

ნაწილი საფონდო: 142695

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი