Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
RF201L2STE25
Rohm Semiconductor

RF201L2STE25

ნაწილი საფონდო: 163905

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 870mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RSX205L-30TE25
Rohm Semiconductor

RSX205L-30TE25

ნაწილი საფონდო: 141191

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2L60ATE25
Rohm Semiconductor

RBR2L60ATE25

ნაწილი საფონდო: 183559

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR2MM40CTR
Rohm Semiconductor

RBR2MM40CTR

ნაწილი საფონდო: 100119

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 540mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RF08L6STE25
Rohm Semiconductor

RF08L6STE25

ნაწილი საფონდო: 170080

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 800mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 800mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 70ns,

სასურველი
RB160M-30TR
Rohm Semiconductor

RB160M-30TR

ნაწილი საფონდო: 4936

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB080L-30TE25
Rohm Semiconductor

RB080L-30TE25

ნაწილი საფონდო: 154586

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB058LAM-40TR
Rohm Semiconductor

RB058LAM-40TR

ნაწილი საფონდო: 134464

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RF051VA2STR
Rohm Semiconductor

RF051VA2STR

ნაწილი საფონდო: 114396

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RBE2VA20ATR
Rohm Semiconductor

RBE2VA20ATR

ნაწილი საფონდო: 190216

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1MM40ATR
Rohm Semiconductor

RBR1MM40ATR

ნაწილი საფონდო: 184353

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR3MM60BTR
Rohm Semiconductor

RBR3MM60BTR

ნაწილი საფონდო: 119175

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR5LAM40ATR
Rohm Semiconductor

RBR5LAM40ATR

ნაწილი საფონდო: 171743

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB551SS-30T2R
Rohm Semiconductor

RB551SS-30T2R

ნაწილი საფონდო: 173649

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 360mV @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1LAM40ATFTR
Rohm Semiconductor

RBR1LAM40ATFTR

ნაწილი საფონდო: 8437

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB068L150TE25
Rohm Semiconductor

RB068L150TE25

ნაწილი საფონდო: 149672

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RFN1LAM7STFTR
Rohm Semiconductor

RFN1LAM7STFTR

ნაწილი საფონდო: 8640

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 800mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 800mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 80ns,

სასურველი
RBR3LAM40CTFTR
Rohm Semiconductor

RBR3LAM40CTFTR

ნაწილი საფონდო: 8614

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RF081LAM2STR
Rohm Semiconductor

RF081LAM2STR

ნაწილი საფონდო: 193088

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RB160MM-50TR
Rohm Semiconductor

RB160MM-50TR

ნაწილი საფონდო: 151948

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR1LAM40ATR
Rohm Semiconductor

RBR1LAM40ATR

ნაწილი საფონდო: 154776

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB400VA-50TR
Rohm Semiconductor

RB400VA-50TR

ნაწილი საფონდო: 192859

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB058L150TE25
Rohm Semiconductor

RB058L150TE25

ნაწილი საფონდო: 141149

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB050L-60TE25
Rohm Semiconductor

RB050L-60TE25

ნაწილი საფონდო: 128959

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160L-60TE25
Rohm Semiconductor

RB160L-60TE25

ნაწილი საფონდო: 158474

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RF071LAM4STR
Rohm Semiconductor

RF071LAM4STR

ნაწილი საფონდო: 8444

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RBR5LAM60ATR
Rohm Semiconductor

RBR5LAM60ATR

ნაწილი საფონდო: 108160

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RF071M2STR
Rohm Semiconductor

RF071M2STR

ნაწილი საფონდო: 194968

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RB088LAM100TFTR
Rohm Semiconductor

RB088LAM100TFTR

ნაწილი საფონდო: 8648

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB068LAM-30TFTR
Rohm Semiconductor

RB068LAM-30TFTR

ნაწილი საფონდო: 8480

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB162M-30TR
Rohm Semiconductor

RB162M-30TR

ნაწილი საფონდო: 175447

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RSX101VA-30TR
Rohm Semiconductor

RSX101VA-30TR

ნაწილი საფონდო: 136895

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB168LAM-60TFTR
Rohm Semiconductor

RB168LAM-60TFTR

ნაწილი საფონდო: 8468

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RBR3LAM30BTR
Rohm Semiconductor

RBR3LAM30BTR

ნაწილი საფონდო: 104310

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB070M-30TR
Rohm Semiconductor

RB070M-30TR

ნაწილი საფონდო: 181225

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB050LAM-40TFTR
Rohm Semiconductor

RB050LAM-40TFTR

ნაწილი საფონდო: 165300

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი