ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

Rohm Semiconductor

SH8K4TB1

ნაწილი საფონდო: 107909

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8J1TR

ნაწილი საფონდო: 162895

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8J11TCR

ნაწილი საფონდო: 180714

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 1.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8K2TB1

ნაწილი საფონდო: 169908

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8K2TB

ნაწილი საფონდო: 195188

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8K15TB1

ნაწილი საფონდო: 137046

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8K11TCR

ნაწილი საფონდო: 198738

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

US6M1TR

ნაწილი საფონდო: 141982

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M13GZETB

ნაწილი საფონდო: 173570

FET ტიპი: N and P-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8J5TB

ნაწილი საფონდო: 50648

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

US6M2TR

ნაწილი საფონდო: 169040

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M4TB1

ნაწილი საფონდო: 91212

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QH8KA1TCR

ნაწილი საფონდო: 125338

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8M13TCR

ნაწილი საფონდო: 158531

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8J2TB

ნაწილი საფონდო: 2628

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M41GZETB

ნაწილი საფონდო: 127920

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 4V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QH8MA2TCR

ნაწილი საფონდო: 145176

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8K22TB1

ნაწილი საფონდო: 169285

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 45V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS6M3TR

ნაწილი საფონდო: 170246

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS6J1TR

ნაწილი საფონდო: 160158

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

ნაწილი საფონდო: 188653

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 100µA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

ნაწილი საფონდო: 110824

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

ნაწილი საფონდო: 135582

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

ნაწილი საფონდო: 176441

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 100µA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

ნაწილი საფონდო: 163064

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

ნაწილი საფონდო: 196980

FET ტიპი: N and P-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

ნაწილი საფონდო: 69246

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

ნაწილი საფონდო: 181504

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8J12TCR

ნაწილი საფონდო: 145360

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 1.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

ნაწილი საფონდო: 96459

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

ნაწილი საფონდო: 138723

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

ნაწილი საფონდო: 166276

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA, 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

ნაწილი საფონდო: 129283

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 45V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

ნაწილი საფონდო: 127455

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

178

«
1
2
3
4
5
»