| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
|---|---|
| FET ტიპი | N and P-Channel |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V, 20V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 100mA, 200mA |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | - |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 13pF @ 5V |
| სიმძლავრე - მაქს | 150mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | SOT-563, SOT-666 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | EMT6 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
