ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
---|---|
FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 7A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 18nC @ 5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1200pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 2W |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOP |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |