ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

Rohm Semiconductor

EM6K33T2R

ნაწილი საფონდო: 182538

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 1.2V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8M4FRATB

ნაწილი საფონდო: 91

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8K31FRATB

ნაწილი საფონდო: 99

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS6K1TR

ნაწილი საფონდო: 117098

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8J4TR

ნაწილი საფონდო: 171717

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8K3TB

ნაწილი საფონდო: 123516

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8KA4TB

ნაწილი საფონდო: 198737

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8J2FU6TB

ნაწილი საფონდო: 120135

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SM6K2T110

ნაწილი საფონდო: 120997

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UT6J3TCR

ნაწილი საფონდო: 114339

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UT6K3TCR

ნაწილი საფონდო: 167007

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

US6M11TR

ნაწილი საფონდო: 108081

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

ნაწილი საფონდო: 55153

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UT6JA2TCR

ნაწილი საფონდო: 157843

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8J65TB1

ნაწილი საფონდო: 100136

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UM6K33NTN

ნაწილი საფონდო: 191317

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 1.2V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

US6J2TR

ნაწილი საფონდო: 151598

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

TT8J1TR

ნაწილი საფონდო: 2958

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8K1TB1

ნაწილი საფონდო: 189574

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UT6MA3TCR

ნაწილი საფონდო: 168810

FET ტიპი: N and P-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, 5.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

US6K4TR

ნაწილი საფონდო: 182371

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS8M51TR

ნაწილი საფონდო: 132178

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

HP8K22TB

ნაწილი საფონდო: 139519

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 27A, 57A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8J5FU6TB

ნაწილი საფონდო: 68274

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8K32TB1

ნაწილი საფონდო: 109582

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UM6K31NFHATCN

ნაწილი საფონდო: 9908

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.3V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M5TB1

ნაწილი საფონდო: 102075

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SP8M3FU6TB

ნაწილი საფონდო: 134363

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

MP6K13TCR

ნაწილი საფონდო: 2950

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QS6M4TR

ნაწილი საფონდო: 185861

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M3TB1

ნაწილი საფონდო: 180841

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8M41TB1

ნაწილი საფონდო: 127833

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

QH8KA4TCR

ნაწილი საფონდო: 78816

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

TT8J21TR

ნაწილი საფონდო: 169061

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

SH8J66TB1

ნაწილი საფონდო: 75609

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

Rohm Semiconductor

MP6M11TCR

ნაწილი საფონდო: 2920

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სასურველი

178

«
1
2
3
4
5
»