ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 50V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 200mA |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 25pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 120mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | UMT6 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |