ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 33.8µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA, მიმდინარე - სატურაცია: 630mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 450µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA, მიმდინარე - სატურაცია: 520mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ინდუქცია: 105nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 27A, მიმდინარე - სატურაცია: 61A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.4µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA, მიმდინარე - სატურაცია: 760mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 5.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
