ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%,
ინდუქცია: 2.1µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 27A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 890mA, მიმდინარე - სატურაცია: 890mA,
ინდუქცია: 350nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 25.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 45A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 910mA, მიმდინარე - სატურაცია: 910mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 10.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 64A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 118µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA, მიმდინარე - სატურაცია: 860mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 600µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, მიმდინარე - სატურაცია: 120mA,
ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 19A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 14.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 24.3A,
ინდუქცია: 2mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA, მიმდინარე - სატურაცია: 50mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.4µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 2.5µH, მიმდინარე რეიტინგი: 8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.32nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 68mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,