ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 3.8µH, მიმდინარე რეიტინგი: 4.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 6.2µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 11A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 32mA, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 880nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 22.5A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 383µH, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 24µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.74A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 79µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 1.44µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23.8A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 29.1µH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 43.6µH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 259µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 115µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 78µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 860nH, მიმდინარე რეიტინგი: 22.5A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 53µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 40nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
