ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 290mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.4µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA, მიმდინარე - სატურაცია: 310mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 20.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 26A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 1.3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 25A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA, მიმდინარე - სატურაცია: 660mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 909.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 370nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 135mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 46.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,
