ინდუქცია: 4.4µH, ტოლერანტობა: ±12%, მიმდინარე რეიტინგი: 12.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA, მიმდინარე - სატურაცია: 150mA,
ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA, მიმდინარე - სატურაცია: 80mA,
ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 480mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.8µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 4.4µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.4µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA, მიმდინარე - სატურაცია: 140mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 331µH, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.4µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 27A, მიმდინარე - სატურაცია: 28A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ინდუქცია: 800nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 44A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA, მიმდინარე - სატურაცია: 680mA,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 2.5µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 23A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.55nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 91nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 149.4nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
