ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ინდუქცია: 85nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 31A, მიმდინარე - სატურაცია: 70A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,
ინდუქცია: 8.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.85A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.85A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 590mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 36µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA, მიმდინარე - სატურაცია: 990mA,
ინდუქცია: 800nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 20.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA, მიმდინარე - სატურაცია: 860mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.05µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 17.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.7A,
ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35A, მიმდინარე - სატურაცია: 63A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 500µH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA, მიმდინარე - სატურაცია: 530mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.3A,
ინდუქცია: 350nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 40A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 500µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 18.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 35A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 23nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.32nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 135mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
