ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA, მიმდინარე - სატურაცია: 520mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 220mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.76A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.76A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.32A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.63A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.63A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ინდუქცია: 8.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 65µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ინდუქცია: 3mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 38mA, მიმდინარე - სატურაცია: 38mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.11A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.11A,
ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA, მიმდინარე - სატურაცია: 360mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 20µH, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,
