ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 26.5nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 49mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 15A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 15.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 214µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 25A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 930mA, მიმდინარე - სატურაცია: 930mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 260mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.3A,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 21A, მიმდინარე - სატურაცია: 24A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 46µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 113µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 530mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 910mA, მიმდინარე - სატურაცია: 910mA,
ინდუქცია: 185nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35A, მიმდინარე - სატურაცია: 72A,
