ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.79µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 67.8nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 73µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 670mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 500µH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.75A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA, მიმდინარე - სატურაცია: 460mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 600nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 20.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 35A,
ინდუქცია: 1.3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA, მიმდინარე - სატურაცია: 230mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,
ინდუქცია: 350nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 45A, მიმდინარე - სატურაცია: 55A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.27A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.27A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA, მიმდინარე - სატურაცია: 680mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 4.9µH, მიმდინარე რეიტინგი: 7.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
ინდუქცია: 1.3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 19A, მიმდინარე - სატურაცია: 34A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 165µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 12.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ინდუქცია: 6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.25A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA, მიმდინარე - სატურაცია: 440mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
