ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 91nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 910nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 135mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA, მიმდინარე - სატურაცია: 340mA,
