ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 200nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 30A, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 580mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA, მიმდინარე - სატურაცია: 440mA,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 450nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 52A, მიმდინარე - სატურაცია: 95A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA, მიმდინარე - სატურაცია: 820mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 55A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.4A,
ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 28A, მიმდინარე - სატურაცია: 32A,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 3.5µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 26µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Planar, ინდუქცია: 2.5µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 23A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 98.7nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 72nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 55.5nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
