ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 674nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 17.8nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 32.75nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 21.7nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 400nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 600nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 28.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 28.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA, მიმდინარე - სატურაცია: 520mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 55µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 176µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 178µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 38.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 50A,
ინდუქცია: 2.5µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA, მიმდინარე - სატურაცია: 560mA,
ინდუქცია: 70nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 27A, მიმდინარე - სატურაცია: 93A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
