ფიქსირებული ინდუქტორები

PE-1008CD182JTT

PE-1008CD182JTT

ნაწილი საფონდო: 159929

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.79µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
PE-0805CM181GTT

PE-0805CM181GTT

ნაწილი საფონდო: 5938

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
PE-0805CM270JTT

PE-0805CM270JTT

ნაწილი საფონდო: 112140

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
PE-0805CM391JTT

PE-0805CM391JTT

ნაწილი საფონდო: 6017

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
PE-1206CD120JTT

PE-1206CD120JTT

ნაწილი საფონდო: 123001

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
PE-1008CM150GTT

PE-1008CM150GTT

ნაწილი საფონდო: 10010

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
PE-1206CD151JTT

PE-1206CD151JTT

ნაწილი საფონდო: 199884

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
PE-1008CM472JTT

PE-1008CM472JTT

ნაწილი საფონდო: 6047

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
PE-0603CD080KTT

PE-0603CD080KTT

ნაწილი საფონდო: 120181

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
PE-1008CM222JTT

PE-1008CM222JTT

ნაწილი საფონდო: 188223

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
PE-1008CM121JTT

PE-1008CM121JTT

ნაწილი საფონდო: 184347

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
PE-1008CM150JTT

PE-1008CM150JTT

ნაწილი საფონდო: 194405

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
PE-1008CD181JTT

PE-1008CD181JTT

ნაწილი საფონდო: 134120

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
PE-1008CM221JTT

PE-1008CM221JTT

ნაწილი საფონდო: 175933

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
PE-1008CM271KTT

PE-1008CM271KTT

ნაწილი საფონდო: 165966

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
PE-1008CM151GTT

PE-1008CM151GTT

ნაწილი საფონდო: 146593

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
PE-1008CM681JTT

PE-1008CM681JTT

ნაწილი საფონდო: 5986

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
PE-1008CD391JTT

PE-1008CD391JTT

ნაწილი საფონდო: 195403

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
PE-1008CM100JTT

PE-1008CM100JTT

ნაწილი საფონდო: 106189

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
PE-1206CD030JTT

PE-1206CD030JTT

ნაწილი საფონდო: 168493

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
PE-1008CD681JTT

PE-1008CD681JTT

ნაწილი საფონდო: 134118

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
PE-1008CD561JTT

PE-1008CD561JTT

ნაწილი საფონდო: 131579

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
PE-1008CM332JTT

PE-1008CM332JTT

ნაწილი საფონდო: 5929

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
PE-1206CD470JTT

PE-1206CD470JTT

ნაწილი საფონდო: 132600

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
PE-0603CD820KTT

PE-0603CD820KTT

ნაწილი საფონდო: 177322

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
PE-1008CM152JTT

PE-1008CM152JTT

ნაწილი საფონდო: 127452

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
PE-1008CD152JTT

PE-1008CD152JTT

ნაწილი საფონდო: 117668

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
PG0016.123NL

PG0016.123NL

ნაწილი საფონდო: 6567

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
PG0016.682NL

PG0016.682NL

ნაწილი საფონდო: 6560

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,

სასურველი
PG0016.272NL

PG0016.272NL

ნაწილი საფონდო: 6552

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.2A,

სასურველი
PG0016.333NL

PG0016.333NL

ნაწილი საფონდო: 6587

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 880mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
PA2202.121NLT

PA2202.121NLT

ნაწილი საფონდო: 9749

ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 36A, მიმდინარე - სატურაცია: 84A,

სასურველი
PG0016.331NL

PG0016.331NL

ნაწილი საფონდო: 6540

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
PG0016.681NL

PG0016.681NL

ნაწილი საფონდო: 6629

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 8A,

სასურველი
PG0016.683NL

PG0016.683NL

ნაწილი საფონდო: 6545

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 610mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
PG0016.154NL

PG0016.154NL

ნაწილი საფონდო: 6558

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,

სასურველი