ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 225mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 245mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 910nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 67µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,
ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 1.01µH, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ინდუქცია: 600µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA, მიმდინარე - სატურაცია: 130mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 22.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 260mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 900nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 32µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,
