ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 910nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ინდუქცია: 360nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 36A, მიმდინარე - სატურაცია: 46A,
ინდუქცია: 230nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 58A, მიმდინარე - სატურაცია: 75A,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 35.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A,
