ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 940mA, მიმდინარე - სატურაცია: 940mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,
ინდუქცია: 160nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 27A, მიმდინარე - სატურაცია: 41A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 9.1nH,
