ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±5%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 200nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±5%,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 200nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 210nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 12.2µH,
