ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 21A, მიმდინარე - სატურაცია: 22.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 23.1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA, მიმდინარე - სატურაცია: 860mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 16µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ინდუქცია: 4.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 35µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA, მიმდინარე - სატურაცია: 630mA,
ტიპი: Toroidal, ინდუქცია: 26µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 909.5nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 23nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
