ფიქსირებული ინდუქტორები

ELC-09D5R6DF

ELC-09D5R6DF

ნაწილი საფონდო: 108144

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,

სასურველი
ELC-3FN220M

ELC-3FN220M

ნაწილი საფონდო: 164251

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი
ELC-3GN470M

ELC-3GN470M

ნაწილი საფონდო: 177610

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
ELC-3GN3R3N

ELC-3GN3R3N

ნაწილი საფონდო: 189454

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 970mA,

სასურველი
ELC-09D820F

ELC-09D820F

ნაწილი საფონდო: 122417

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
ELC-09D3R9DF

ELC-09D3R9DF

ნაწილი საფონდო: 100399

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A,

სასურველი
ELC-3GN680M

ELC-3GN680M

ნაწილი საფონდო: 138372

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
ELC-09D820DF

ELC-09D820DF

ნაწილი საფონდო: 189653

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
ELC-09D331DF

ELC-09D331DF

ნაწილი საფონდო: 162977

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,

სასურველი
ELL-SFG471MA

ELL-SFG471MA

ნაწილი საფონდო: 197563

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,

სასურველი
ELC-09D221DF

ELC-09D221DF

ნაწილი საფონდო: 199588

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
ELC-09D391DF

ELC-09D391DF

ნაწილი საფონდო: 116267

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,

სასურველი
ELC-09D181DF

ELC-09D181DF

ნაწილი საფონდო: 137747

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 610mA,

სასურველი
ELL-4GG8R2N

ELL-4GG8R2N

ნაწილი საფონდო: 167886

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
ELL-4GG120M

ELL-4GG120M

ნაწილი საფონდო: 119366

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
ELL-4GG3R9N

ELL-4GG3R9N

ნაწილი საფონდო: 170241

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
ELL-VFG1R5NC

ELL-VFG1R5NC

ნაწილი საფონდო: 151959

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
ELL-4GG330M

ELL-4GG330M

ნაწილი საფონდო: 111252

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
ELL-4GG3R3N

ELL-4GG3R3N

ნაწილი საფონდო: 153681

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
ELL-4GG6R8N

ELL-4GG6R8N

ნაწილი საფონდო: 134592

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 930mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,

სასურველი
ELL-4GG5R6N

ELL-4GG5R6N

ნაწილი საფონდო: 156552

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 970mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
ELL-4GG4R7N

ELL-4GG4R7N

ნაწილი საფონდო: 198412

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
ELL-4GG1R2N

ELL-4GG1R2N

ნაწილი საფონდო: 169456

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,

სასურველი
ELL-4GG150M

ELL-4GG150M

ნაწილი საფონდო: 134231

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
ELL-4GG100M

ELL-4GG100M

ნაწილი საფონდო: 193571

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
ELL-4GG2R2N

ELL-4GG2R2N

ნაწილი საფონდო: 142896

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
ELL-4GG220M

ELL-4GG220M

ნაწილი საფონდო: 151794

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,

სასურველი
ELL-4GG470M

ELL-4GG470M

ნაწილი საფონდო: 117383

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
ELJ-FCR56MF

ELJ-FCR56MF

ნაწილი საფონდო: 148414

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
ELL-4GG101M

ELL-4GG101M

ნაწილი საფონდო: 107484

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 290mA,

სასურველი
ELL-4GG1R8N

ELL-4GG1R8N

ნაწილი საფონდო: 194822

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
ELL-VFG1R0NC

ELL-VFG1R0NC

ნაწილი საფონდო: 125678

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
ELL-VGG6R8N

ELL-VGG6R8N

ნაწილი საფონდო: 141146

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
ELL-VEG150M

ELL-VEG150M

ნაწილი საფონდო: 150851

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 430mA,

სასურველი
ELL-VFG150MC

ELL-VFG150MC

ნაწილი საფონდო: 111662

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,

სასურველი
ELL-VFG6R8NC

ELL-VFG6R8NC

ნაწილი საფონდო: 139574

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,

სასურველი