ფიქსირებული ინდუქტორები

ELL-6PG470M

ELL-6PG470M

ნაწილი საფონდო: 156173

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,

სასურველი
ELL-6UH151M

ELL-6UH151M

ნაწილი საფონდო: 143955

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
ELL-6UH471M

ELL-6UH471M

ნაწილი საფონდო: 194546

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
ELL-6PG2R2N

ELL-6PG2R2N

ნაწილი საფონდო: 105039

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,

სასურველი
ELL-6PG330M

ELL-6PG330M

ნაწილი საფონდო: 120209

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
ELL-6UH680M

ELL-6UH680M

ნაწილი საფონდო: 169976

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
ELL-6PG100M

ELL-6PG100M

ნაწილი საფონდო: 142650

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
ELL-4FG220MA

ELL-4FG220MA

ნაწილი საფონდო: 180944

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,

სასურველი
ELL-6PG270M

ELL-6PG270M

ნაწილი საფონდო: 145664

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 730mA,

სასურველი
ELL-6PG1R5N

ELL-6PG1R5N

ნაწილი საფონდო: 192413

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
ELL-6PG6R8N

ELL-6PG6R8N

ნაწილი საფონდო: 135020

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
ELL-6PG820M

ELL-6PG820M

ნაწილი საფონდო: 156085

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
ELL-6UH391M

ELL-6UH391M

ნაწილი საფონდო: 148646

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
ELL-6UH561M

ELL-6UH561M

ნაწილი საფონდო: 119711

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
ELL-6UH221M

ELL-6UH221M

ნაწილი საფონდო: 155244

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
ETQ-P1W3R3WFP

ETQ-P1W3R3WFP

ნაწილი საფონდო: 184278

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
ELL-6PG101M

ELL-6PG101M

ნაწილი საფონდო: 134659

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
ELL-6UH220M

ELL-6UH220M

ნაწილი საფონდო: 166536

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
ELL-4FG1R0NA

ELL-4FG1R0NA

ნაწილი საფონდო: 177955

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
ELL-6UH390M

ELL-6UH390M

ნაწილი საფონდო: 118567

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
ELL-6UH101M

ELL-6UH101M

ნაწილი საფონდო: 153701

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
ELL-4FG6R8NA

ELL-4FG6R8NA

ნაწილი საფონდო: 140706

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
ELL-6UH120M

ELL-6UH120M

ნაწილი საფონდო: 104849

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
ELL-6UH150M

ELL-6UH150M

ნაწილი საფონდო: 177545

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
ELL-6UH270M

ELL-6UH270M

ნაწილი საფონდო: 199727

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
ELL-6PG3R9N

ELL-6PG3R9N

ნაწილი საფონდო: 182825

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,

სასურველი
ELL-4FG2R0NA

ELL-4FG2R0NA

ნაწილი საფონდო: 192202

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
ELL-6UH681M

ELL-6UH681M

ნაწილი საფონდო: 112051

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
ELL-6UH180M

ELL-6UH180M

ნაწილი საფონდო: 112236

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
ELL-6PG5R6N

ELL-6PG5R6N

ნაწილი საფონდო: 104236

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.65A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,

სასურველი
ELL-6UH100M

ELL-6UH100M

ნაწილი საფონდო: 113556

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
ELL-4FG330MA

ELL-4FG330MA

ნაწილი საფონდო: 192475

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 360mA,

სასურველი
ELL-4FG4R7NA

ELL-4FG4R7NA

ნაწილი საფონდო: 90454

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
ELL-6UH470M

ELL-6UH470M

ნაწილი საფონდო: 143125

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
ELL-6UH102M

ELL-6UH102M

ნაწილი საფონდო: 146852

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
ELL-6UH331M

ELL-6UH331M

ნაწილი საფონდო: 117007

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,

სასურველი