ფიქსირებული ინდუქტორები

ELL-6SH180M

ELL-6SH180M

ნაწილი საფონდო: 176484

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
ELL-6SH271M

ELL-6SH271M

ნაწილი საფონდო: 176497

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
ELT-5KT100MC

ELT-5KT100MC

ნაწილი საფონდო: 184305

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,

სასურველი
ELL-6SH270M

ELL-6SH270M

ნაწილი საფონდო: 176538

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
ELT-5KT220LB

ELT-5KT220LB

ნაწილი საფონდო: 184297

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,

სასურველი
ELL-6SH331M

ELL-6SH331M

ნაწილი საფონდო: 176467

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
ELT-5KT330LB

ELT-5KT330LB

ნაწილი საფონდო: 184291

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
ELL-6SH680M

ELL-6SH680M

ნაწილი საფონდო: 176542

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
ELT-5KT470LB

ELT-5KT470LB

ნაწილი საფონდო: 184228

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
ELL-6SH8R2M

ELL-6SH8R2M

ნაწილი საფონდო: 176509

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
ELT-5KT3R3MB

ELT-5KT3R3MB

ნაწილი საფონდო: 184267

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
ELL-6SH5R6M

ELL-6SH5R6M

ნაწილი საფონდო: 176548

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
ELL-6SH561M

ELL-6SH561M

ნაწილი საფონდო: 176485

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
ELL-6SH181M

ELL-6SH181M

ნაწილი საფონდო: 176543

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
ELT-5KT150LB

ELT-5KT150LB

ნაწილი საფონდო: 169548

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±15%, მიმდინარე რეიტინგი: 510mA,

სასურველი
ELL-6SH150M

ELL-6SH150M

ნაწილი საფონდო: 176482

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
ELL-6SH6R8M

ELL-6SH6R8M

ნაწილი საფონდო: 176563

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
ELT-5KT4R7MB

ELT-5KT4R7MB

ნაწილი საფონდო: 184273

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,

სასურველი
ELL-6SH101M

ELL-6SH101M

ნაწილი საფონდო: 176530

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
ELL-6SH330M

ELL-6SH330M

ნაწილი საფონდო: 176548

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
ELL-6SH151M

ELL-6SH151M

ნაწილი საფონდო: 176564

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
ELL-6SH1R0M

ELL-6SH1R0M

ნაწილი საფონდო: 176490

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A,

სასურველი
ELL-6GG3R9M

ELL-6GG3R9M

ნაწილი საფონდო: 184418

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.65A,

სასურველი
ELL-6GG680M

ELL-6GG680M

ნაწილი საფონდო: 142409

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
ELC-10D3R3E

ELC-10D3R3E

ნაწილი საფონდო: 190437

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A,

სასურველი
ELL-6GG101M

ELL-6GG101M

ნაწილი საფონდო: 142602

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,

სასურველი
ELL-6GG6R8M

ELL-6GG6R8M

ნაწილი საფონდო: 106064

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,

სასურველი
ELL-6GG2R2M

ELL-6GG2R2M

ნაწილი საფონდო: 176603

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.95A,

სასურველი
ELL-6GG330M

ELL-6GG330M

ნაწილი საფონდო: 185469

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 490mA,

სასურველი
ELL-6GG2R7M

ELL-6GG2R7M

ნაწილი საფონდო: 171071

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.85A,

სასურველი
ELL-6GG220M

ELL-6GG220M

ნაწილი საფონდო: 133762

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,

სასურველი
ELL-6GG470M

ELL-6GG470M

ნაწილი საფონდო: 199002

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
ELL-6GG4R7M

ELL-6GG4R7M

ნაწილი საფონდო: 192002

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
ELL-6GG1R0N

ELL-6GG1R0N

ნაწილი საფონდო: 144220

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
ELL-6GG1R5N

ELL-6GG1R5N

ნაწილი საფონდო: 188396

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,

სასურველი
ELL-6GG100M

ELL-6GG100M

ნაწილი საფონდო: 75507

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი