ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A,
ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ინდუქცია: 1.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A,
ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A,
ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.65A,
ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A,
ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.7A,
ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,
მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A,
ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.22A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 290mA,
