ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 740mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 930mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA, მიმდინარე - სატურაცია: 190mA,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 1.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
