ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 690mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 520mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 740mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 580mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 980mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 205mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
