ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 215mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 345mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 215mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 185mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 155mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 970mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 185mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
