ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

ERD-S2TJ270V

ERD-S2TJ270V

ნაწილი საფონდო: 1615

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ823V

ERD-S1TJ823V

ნაწილი საფონდო: 2069

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF82R0

ERO-S2PHF82R0

ნაწილი საფონდო: 3256

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ2R2V

ERD-S1TJ2R2V

ნაწილი საფონდო: 1935

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ123V

ERD-S1TJ123V

ნაწილი საფონდო: 1973

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF30R0

ERO-S2PHF30R0

ნაწილი საფონდო: 2166

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ152V

ERD-S2TJ152V

ნაწილი საფონდო: 1745

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ205V

ERD-S2TJ205V

ნაწილი საფონდო: 1941

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ751V

ERD-S2TJ751V

ნაწილი საფონდო: 1629

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ333V

ERD-S1TJ333V

ნაწილი საფონდო: 1991

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ153V

ERD-S1TJ153V

ნაწილი საფონდო: 2010

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ200V

ERD-S2TJ200V

ნაწილი საფონდო: 1673

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ101V

ERD-S2TJ101V

ნაწილი საფონდო: 1676

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ823V

ERD-S2TJ823V

ნაწილი საფონდო: 3216

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ332V

ERD-S2TJ332V

ნაწილი საფონდო: 1918

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ473V

ERD-S1TJ473V

ნაწილი საფონდო: 2003

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ303V

ERD-S1TJ303V

ნაწილი საფონდო: 2048

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ3R3V

ERD-S1TJ3R3V

ნაწილი საფონდო: 1972

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ3R3V

ERD-S2TJ3R3V

ნაწილი საფონდო: 1309

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ150V

ERD-S2TJ150V

ნაწილი საფონდო: 1452

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1050

ERO-S2PHF1050

ნაწილი საფონდო: 1076

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ3R0V

ERD-S2TJ3R0V

ნაწილი საფონდო: 1294

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ1R2V

ERD-S2TJ1R2V

ნაწილი საფონდო: 1238

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ8R2V

ERD-S2TJ8R2V

ნაწილი საფონდო: 1308

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ2R2V

ERD-S2TJ2R2V

ნაწილი საფონდო: 1308

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ2R0V

ERD-S2TJ2R0V

ნაწილი საფონდო: 3167

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ4R7V

ERD-S2TJ4R7V

ნაწილი საფონდო: 1270

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ7R5V

ERD-S2TJ7R5V

ნაწილი საფონდო: 1290

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2T0V

ERD-S2T0V

ნაწილი საფონდო: 1228

წინააღმდეგობა: 0 Ohms, ტოლერანტობა: Jumper, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film,

სასურველი
ERD-S2TJ5R1V

ERD-S2TJ5R1V

ნაწილი საფონდო: 1266

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ6R8V

ERD-S2TJ6R8V

ნაწილი საფონდო: 3147

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ1R0V

ERD-S2TJ1R0V

ნაწილი საფონდო: 1260

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1210

ERO-S2PHF1210

ნაწილი საფონდო: 1088

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ3R6V

ERD-S2TJ3R6V

ნაწილი საფონდო: 1238

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ100V

ERD-S2TJ100V

ნაწილი საფონდო: 3187

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ1R1V

ERD-S2TJ1R1V

ნაწილი საფონდო: 3135

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი