ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

ERO-S2PHF3920

ERO-S2PHF3920

ნაწილი საფონდო: 3407

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ820V

ERD-S1TJ820V

ნაწილი საფონდო: 3316

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ123V

ERD-S2TJ123V

ნაწილი საფონდო: 3378

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ181V

ERD-S1TJ181V

ნაწილი საფონდო: 3364

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3323

ERO-S2PHF3323

ნაწილი საფონდო: 3435

წინააღმდეგობა: 332 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ2R0V

ERD-S1TJ2R0V

ნაწილი საფონდო: 3395

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF2152

ERO-S2PHF2152

ნაწილი საფონდო: 3362

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF5R76

ERO-S2PHF5R76

ნაწილი საფონდო: 3333

წინააღმდეგობა: 5.76 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1102

ERO-S2PHF1102

ნაწილი საფონდო: 3400

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ160V

ERD-S2TJ160V

ნაწილი საფონდო: 3334

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1782

ERO-S2PHF1782

ნაწილი საფონდო: 3405

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1651

ERO-S2PHF1651

ნაწილი საფონდო: 3423

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3902

ERO-S2PHF3902

ნაწილი საფონდო: 3336

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF7873

ERO-S2PHF7873

ნაწილი საფონდო: 3428

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1620

ERO-S2PHF1620

ნაწილი საფონდო: 3355

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF60R4

ERO-S2PHF60R4

ნაწილი საფონდო: 3393

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3573

ERO-S2PHF3573

ნაწილი საფონდო: 3387

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1020

ERO-S2PHF1020

ნაწილი საფონდო: 3387

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1503

ERO-S2PHF1503

ნაწილი საფონდო: 3396

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF4532

ERO-S2PHF4532

ნაწილი საფონდო: 3363

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF6652

ERO-S2PHF6652

ნაწილი საფონდო: 3439

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3402

ERO-S2PHF3402

ნაწილი საფონდო: 3373

წინააღმდეგობა: 34 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF84R5

ERO-S2PHF84R5

ნაწილი საფონდო: 3347

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ241V

ERD-S2TJ241V

ნაწილი საფონდო: 3317

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3833

ERO-S2PHF3833

ნაწილი საფონდო: 3354

წინააღმდეგობა: 383 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ474V

ERD-S2TJ474V

ნაწილი საფონდო: 3374

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -700ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF5493

ERO-S2PHF5493

ნაწილი საფონდო: 3426

წინააღმდეგობა: 549 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ471V

ERD-S2TJ471V

ნაწილი საფონდო: 3359

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF13R7

ERO-S2PHF13R7

ნაწილი საფონდო: 3344

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF4R64

ERO-S2PHF4R64

ნაწილი საფონდო: 3379

წინააღმდეგობა: 4.64 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF6982

ERO-S2PHF6982

ნაწილი საფონდო: 3402

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1273

ERO-S2PHF1273

ნაწილი საფონდო: 3389

წინააღმდეგობა: 127 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF9312

ERO-S2PHF9312

ნაწილი საფონდო: 3439

წინააღმდეგობა: 93.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF71R5

ERO-S2PHF71R5

ნაწილი საფონდო: 3402

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF19R6

ERO-S2PHF19R6

ნაწილი საფონდო: 3332

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ430V

ERD-S1TJ430V

ნაწილი საფონდო: 3330

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი