ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

ERD-S2TJ240V

ERD-S2TJ240V

ნაწილი საფონდო: 1612

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ431V

ERD-S2TJ431V

ნაწილი საფონდო: 1703

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ105V

ERD-S2TJ105V

ნაწილი საფონდო: 1964

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ362V

ERD-S1TJ362V

ნაწილი საფონდო: 1961

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ221V

ERD-S2TJ221V

ნაწილი საფონდო: 1701

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ162V

ERD-S1TJ162V

ნაწილი საფონდო: 4361

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ7R5V

ERD-S1TJ7R5V

ნაწილი საფონდო: 1987

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ100V

ERD-S1TJ100V

ნაწილი საფონდო: 2010

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF10R0

ERO-S2PHF10R0

ნაწილი საფონდო: 2147

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ683V

ERD-S2TJ683V

ნაწილი საფონდო: 1998

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ271V

ERD-S2TJ271V

ნაწილი საფონდო: 1703

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ752V

ERD-S2TJ752V

ნაწილი საფონდო: 1940

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ121V

ERD-S2TJ121V

ნაწილი საფონდო: 1663

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ180V

ERD-S1TJ180V

ნაწილი საფონდო: 1977

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ514V

ERD-S2TJ514V

ნაწილი საფონდო: 2001

წინააღმდეგობა: 510 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -700ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ3R6V

ERD-S1TJ3R6V

ნაწილი საფონდო: 1959

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ822V

ERD-S1TJ822V

ნაწილი საფონდო: 1962

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1500

ERO-S2PHF1500

ნაწილი საფონდო: 3296

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ103V

ERD-S2TJ103V

ნაწილი საფონდო: 2004

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ393V

ERD-S2TJ393V

ნაწილი საფონდო: 1922

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ154V

ERD-S2TJ154V

ნაწილი საფონდო: 1969

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ113V

ERD-S1TJ113V

ნაწილი საფონდო: 2059

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ113V

ERD-S2TJ113V

ნაწილი საფონდო: 1937

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ333V

ERD-S2TJ333V

ნაწილი საფონდო: 1933

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ243V

ERD-S1TJ243V

ნაწილი საფონდო: 2061

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ392V

ERD-S1TJ392V

ნაწილი საფონდო: 2008

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ125V

ERD-S1TJ125V

ნაწილი საფონდო: 2129

წინააღმდეგობა: 1.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ433V

ERD-S2TJ433V

ნაწილი საფონდო: 1975

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ131V

ERD-S2TJ131V

ნაწილი საფონდო: 1644

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ155V

ERD-S2TJ155V

ნაწილი საფონდო: 2011

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ330V

ERD-S1TJ330V

ნაწილი საფონდო: 2017

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ202V

ERD-S1TJ202V

ნაწილი საფონდო: 2043

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ274V

ERD-S2TJ274V

ნაწილი საფონდო: 1992

წინააღმდეგობა: 270 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -700ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ273V

ERD-S2TJ273V

ნაწილი საფონდო: 3259

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF43R0

ERO-S2PHF43R0

ნაწილი საფონდო: 2117

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ561V

ERD-S1TJ561V

ნაწილი საფონდო: 2019

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი