ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

ERD-S2TJ124V

ERD-S2TJ124V

ნაწილი საფონდო: 1952

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ394V

ERD-S1TJ394V

ნაწილი საფონდო: 2124

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ470V

ERD-S1TJ470V

ნაწილი საფონდო: 175997

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ3R0V

ERD-S1TJ3R0V

ნაწილი საფონდო: 1968

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ183V

ERD-S2TJ183V

ნაწილი საფონდო: 1953

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ432V

ERD-S1TJ432V

ნაწილი საფონდო: 1960

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ204V

ERD-S1TJ204V

ნაწილი საფონდო: 3284

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ223V

ERD-S2TJ223V

ნაწილი საფონდო: 3214

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ510V

ERD-S2TJ510V

ნაწილი საფონდო: 1647

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ131V

ERD-S1TJ131V

ნაწილი საფონდო: 2022

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ753V

ERD-S2TJ753V

ნაწილი საფონდო: 1933

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ912V

ERD-S2TJ912V

ნაწილი საფონდო: 1960

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ102V

ERD-S2TJ102V

ნაწილი საფონდო: 1628

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ390V

ERD-S1TJ390V

ნაწილი საფონდო: 1956

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ474V

ERD-S1TJ474V

ნაწილი საფონდო: 2146

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -700ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ392V

ERD-S2TJ392V

ნაწილი საფონდო: 1931

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF56R0

ERO-S2PHF56R0

ნაწილი საფონდო: 2192

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ513V

ERD-S2TJ513V

ნაწილი საფონდო: 1929

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ303V

ERD-S2TJ303V

ნაწილი საფონდო: 1974

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ751V

ERD-S1TJ751V

ნაწილი საფონდო: 1991

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ151V

ERD-S1TJ151V

ნაწილი საფონდო: 1971

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ185V

ERD-S1TJ185V

ნაწილი საფონდო: 2137

წინააღმდეგობა: 1.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ430V

ERD-S2TJ430V

ნაწილი საფონდო: 1617

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ103V

ERD-S1TJ103V

ნაწილი საფონდო: 2003

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ222V

ERD-S1TJ222V

ნაწილი საფონდო: 1961

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ101V

ERD-S1TJ101V

ნაწილი საფონდო: 3227

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ273V

ERD-S1TJ273V

ნაწილი საფონდო: 3264

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ331V

ERD-S2TJ331V

ნაწილი საფონდო: 3226

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ302V

ERD-S1TJ302V

ნაწილი საფონდო: 1979

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ121V

ERD-S1TJ121V

ნაწილი საფონდო: 2018

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1200

ERO-S2PHF1200

ნაწილი საფონდო: 3230

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ112V

ERD-S1TJ112V

ნაწილი საფონდო: 1996

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ513V

ERD-S1TJ513V

ნაწილი საფონდო: 2007

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ331V

ERD-S1TJ331V

ნაწილი საფონდო: 2038

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF33R0

ERO-S2PHF33R0

ნაწილი საფონდო: 2106

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ473V

ERD-S2TJ473V

ნაწილი საფონდო: 1979

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი