ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

ERD-S2TJ111V

ERD-S2TJ111V

ნაწილი საფონდო: 1663

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ222V

ERD-S2TJ222V

ნაწილი საფონდო: 3255

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ391V

ERD-S1TJ391V

ნაწილი საფონდო: 1952

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ9R1V

ERD-S1TJ9R1V

ნაწილი საფონდო: 2015

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ622V

ERD-S1TJ622V

ნაწილი საფონდო: 1989

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ512V

ERD-S1TJ512V

ნაწილი საფონდო: 2058

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ104V

ERD-S2TJ104V

ნაწილი საფონდო: 3229

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ391V

ERD-S2TJ391V

ნაწილი საფონდო: 1672

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ913V

ERD-S2TJ913V

ნაწილი საფონდო: 1947

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ152V

ERD-S1TJ152V

ნაწილი საფონდო: 3242

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ182V

ERD-S1TJ182V

ნაწილი საფონდო: 1991

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ914V

ERD-S1TJ914V

ნაწილი საფონდო: 3305

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -700ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ304V

ERD-S1TJ304V

ნაწილი საფონდო: 2168

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ6R8V

ERD-S1TJ6R8V

ნაწილი საფონდო: 2022

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF62R0

ERO-S2PHF62R0

ნაწილი საფონდო: 145792

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ911V

ERD-S2TJ911V

ნაწილი საფონდო: 1706

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ472V

ERD-S2TJ472V

ნაწილი საფონდო: 1985

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ4R7V

ERD-S1TJ4R7V

ნაწილი საფონდო: 2002

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ561V

ERD-S2TJ561V

ნაწილი საფონდო: 1632

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF12R0

ERO-S2PHF12R0

ნაწილი საფონდო: 2141

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ221V

ERD-S1TJ221V

ნაწილი საფონდო: 1983

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ111V

ERD-S1TJ111V

ნაწილი საფონდო: 2014

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ820V

ERD-S2TJ820V

ნაწილი საფონდო: 1609

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ162V

ERD-S2TJ162V

ნაწილი საფონდო: 1722

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ201V

ERD-S2TJ201V

ნაწილი საფონდო: 3248

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ201V

ERD-S1TJ201V

ნაწილი საფონდო: 1948

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ150V

ERD-S1TJ150V

ნაწილი საფონდო: 2018

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ562V

ERD-S2TJ562V

ნაწილი საფონდო: 1980

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ205V

ERD-S1TJ205V

ნაწილი საფონდო: 2146

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ184V

ERD-S2TJ184V

ნაწილი საფონდო: 1920

წინააღმდეგობა: 180 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ335V

ERD-S1TJ335V

ნაწილი საფონდო: 2117

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ563V

ERD-S2TJ563V

ნაწილი საფონდო: 3208

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF39R0

ERO-S2PHF39R0

ნაწილი საფონდო: 2133

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ224V

ERD-S1TJ224V

ნაწილი საფონდო: 2132

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ102V

ERD-S1TJ102V

ნაწილი საფონდო: 2023

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ122V

ERD-S2TJ122V

ნაწილი საფონდო: 1618

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი