ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-6YEB223V

ნაწილი საფონდო: 190768

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERJ-1WYJ113U

ნაწილი საფონდო: 2097

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

ERJ-1WYJ564U

ნაწილი საფონდო: 832

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

ERJ-1WYJ274U

ნაწილი საფონდო: 851

წინააღმდეგობა: 270 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

ERJ-MP3KF22MU

ნაწილი საფონდო: 174021

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

ERA-3EED1581V

ნაწილი საფონდო: 192522

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERJ-MP4MF2M0U

ნაწილი საფონდო: 9704

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

ERJ-MP3MF9M0U

ნაწილი საფონდო: 9520

წინააღმდეგობა: 9 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

ERA-6YEB113V

ნაწილი საფონდო: 137527

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3YEB163V

ნაწილი საფონდო: 167959

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3YEB100V

ნაწილი საფონდო: 9470

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-6YEB751V

ნაწილი საფონდო: 107837

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3YEB112V

ნაწილი საფონდო: 131094

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3YEB151V

ნაწილი საფონდო: 148542

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3YEB101V

ნაწილი საფონდო: 150817

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3YEB161V

ნაწილი საფონდო: 123512

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-6YEB432V

ნაწილი საფონდო: 130291

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-6YEB433V

ნაწილი საფონდო: 130950

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HRC3570P

ნაწილი საფონდო: 8348

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

ERA-2HEC88R7P

ნაწილი საფონდო: 1836

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3EED1401V

ნაწილი საფონდო: 8430

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-6YHD750V

ნაწილი საფონდო: 8527

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

ERA-2HEB1960P

ნაწილი საფონდო: 8172

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1601P

ნაწილი საფონდო: 1905

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB7151P

ნაწილი საფონდო: 8236

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HRB1470P

ნაწილი საფონდო: 1879

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

ERA-6EEB2491A

ნაწილი საფონდო: 8416

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3EED2322V

ნაწილი საფონდო: 8393

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HKD11R0P

ნაწილი საფონდო: 8272

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

ERA-3EEB1201V

ნაწილი საფონდო: 1888

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-3EEB7870V

ნაწილი საფონდო: 8382

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC5101P

ნაწილი საფონდო: 8255

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HKD11R8P

ნაწილი საფონდო: 8285

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

PE1206FKM470R025L

ნაწილი საფონდო: 1875

ERA-6EEB1270V

ნაწილი საფონდო: 8401

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

ERA-2HRB1331P

ნაწილი საფონდო: 8288

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,