ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-6YEB2261V

ERA-6YEB2261V

ნაწილი საფონდო: 8454

წინააღმდეგობა: 2.26 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1371P

ERA-2HEC1371P

ნაწილი საფონდო: 8249

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC61R9P

ERA-2HEC61R9P

ნაწილი საფონდო: 8234

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1050P

ERA-2HEC1050P

ნაწილი საფონდო: 8186

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YKD914V

ERA-6YKD914V

ნაწილი საფონდო: 8494

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB9531V

ERA-6EEB9531V

ნაწილი საფონდო: 8473

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3650V

ERA-3EEB3650V

ნაწილი საფონდო: 8355

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2051P

ERA-2HEC2051P

ნაწილი საფონდო: 8244

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB9760V

ERA-3EEB9760V

ნაწილი საფონდო: 8396

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1581P

ERA-2HEB1581P

ნაწილი საფონდო: 8162

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC8060P

ERA-2HRC8060P

ნაწილი საფონდო: 8283

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1241V

ERA-6EEB1241V

ნაწილი საფონდო: 8416

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB7321V

ERA-6EEB7321V

ნაწილი საფონდო: 1934

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1430P

ERA-2HRB1430P

ნაწილი საფონდო: 8232

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB5601V

ERA-3EEB5601V

ნაწილი საფონდო: 8326

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED362V

ERA-3YED362V

ნაწილი საფონდო: 8358

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1240P

ERA-2HEB1240P

ნაწილი საფონდო: 8135

წინააღმდეგობა: 124 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1020V

ERA-6EEB1020V

ნაწილი საფონდო: 8379

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1470V

ERA-3EEB1470V

ნაწილი საფონდო: 8387

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC5620P

ERA-2HEC5620P

ნაწილი საფონდო: 1899

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB9530P

ERA-2HEB9530P

ნაწილი საფონდო: 8220

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3831V

ERA-3EEB3831V

ნაწილი საფონდო: 8327

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YKD474V

ERA-6YKD474V

ნაწილი საფონდო: 1930

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1821P

ERA-2HRC1821P

ნაწილი საფონდო: 8264

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6201P

ERA-2HEC6201P

ნაწილი საფონდო: 8289

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3160P

ERA-2HEC3160P

ნაწილი საფონდო: 8241

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1921V

ERA-3EEB1921V

ნაწილი საფონდო: 8320

წინააღმდეგობა: 1.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1741V

ERA-6EEB1741V

ნაწილი საფონდო: 8442

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3321V

ERA-6EEB3321V

ნაწილი საფონდო: 8416

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB82R5P

ERA-2HEB82R5P

ნაწილი საფონდო: 1880

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6200P

ERA-2HEC6200P

ნაწილი საფონდო: 8197

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC63R4P

ERA-2HEC63R4P

ნაწილი საფონდო: 1917

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB302V-STR2

ERA-6YEB302V-STR2

ნაწილი საფონდო: 8463

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED152V

ERA-3YED152V

ნაწილი საფონდო: 8340

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YHD130V

ERA-3YHD130V

ნაწილი საფონდო: 8359

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5110P

ERA-2HRC5110P

ნაწილი საფონდო: 8364

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი