ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-2HEC1910X

ERA-2HEC1910X

ნაწილი საფონდო: 198192

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC47R0X

ERA-2HEC47R0X

ნაწილი საფონდო: 177415

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP3MF33MU

ERJ-MP3MF33MU

ნაწილი საფონდო: 138470

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1430X

ERA-2HEB1430X

ნაწილი საფონდო: 181906

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP2MF33MU

ERJ-MP2MF33MU

ნაწილი საფონდო: 173596

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1022X

ERA-2HEB1022X

ნაწილი საფონდო: 157900

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB8451X

ERA-2HEB8451X

ნაწილი საფონდო: 105687

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB64R9X

ERA-2HEB64R9X

ნაწილი საფონდო: 122143

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1962X

ERA-2HEB1962X

ნაწილი საფონდო: 146829

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC4321X

ERA-2HEC4321X

ნაწილი საფონდო: 154745

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3830X

ERA-2HEC3830X

ნაწილი საფონდო: 189248

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD11R5X

ERA-2HKD11R5X

ნაწილი საფონდო: 155073

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3090X

ERA-2HEC3090X

ნაწილი საფონდო: 173278

წინააღმდეგობა: 309 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD11R8X

ERA-2HKD11R8X

ნაწილი საფონდო: 160754

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC9310X

ERA-2HEC9310X

ნაწილი საფონდო: 107573

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1471X

ERA-2HEC1471X

ნაწილი საფონდო: 188386

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD22R1X

ERA-2HHD22R1X

ნაწილი საფონდო: 184338

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1431X

ERA-2HEB1431X

ნაწილი საფონდო: 137428

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6040X

ERA-2HEC6040X

ნაწილი საფონდო: 100357

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB90R9X

ERA-2HEB90R9X

ნაწილი საფონდო: 197050

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB3570X

ERA-2HEB3570X

ნაწილი საფონდო: 156247

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1072X

ERA-2HEC1072X

ნაწილი საფონდო: 157120

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1150X

ERA-2HEB1150X

ნაწილი საფონდო: 198650

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP4MF3M0U

ERJ-MP4MF3M0U

ნაწილი საფონდო: 137853

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2370X

ERA-2HEC2370X

ნაწილი საფონდო: 109204

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6191X

ERA-2HEC6191X

ნაწილი საფონდო: 140915

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB7501X

ERA-2HEB7501X

ნაწილი საფონდო: 176701

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC9091X

ERA-2HEC9091X

ნაწილი საფონდო: 187414

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1102X

ERA-2HEC1102X

ნაწილი საფონდო: 171464

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB57R6X

ERA-2HEB57R6X

ნაწილი საფონდო: 140012

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1240X

ERA-2HEB1240X

ნაწილი საფონდო: 164851

წინააღმდეგობა: 124 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB54R9X

ERA-2HEB54R9X

ნაწილი საფონდო: 162052

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC49R9X

ERA-2HEC49R9X

ნაწილი საფონდო: 162772

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC62R0X

ERA-2HRC62R0X

ნაწილი საფონდო: 162534

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB5111X

ERA-2HEB5111X

ნაწილი საფონდო: 124098

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1150X

ERA-2HEC1150X

ნაწილი საფონდო: 190411

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი