ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERJ-6GEYJ206V

ERJ-6GEYJ206V

ნაწილი საფონდო: 2218

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -400/ +150ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB512U

ERA-14EB512U

ნაწილი საფონდო: 143307

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP4PF15MU

ERJ-MP4PF15MU

ნაწილი საფონდო: 148140

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MB1SF3M0U

ERJ-MB1SF3M0U

ნაწილი საფონდო: 169604

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB121U

ERA-14EB121U

ნაწილი საფონდო: 163888

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB204U

ERA-14EB204U

ნაწილი საფონდო: 192123

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB752U

ERA-14EB752U

ნაწილი საფონდო: 110538

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB332U

ERA-14EB332U

ნაწილი საფონდო: 169974

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EED6810V

ERA-3EED6810V

ნაწილი საფონდო: 122006

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MB1SF4M0U

ERJ-MB1SF4M0U

ნაწილი საფონდო: 190818

წინააღმდეგობა: 4 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB114U

ERA-14EB114U

ნაწილი საფონდო: 119660

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-6GEYJ156V

ERJ-6GEYJ156V

ნაწილი საფონდო: 1999

წინააღმდეგობა: 15 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -400/ +150ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB162U

ERA-14EB162U

ნაწილი საფონდო: 136050

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EED2052V

ERA-3EED2052V

ნაწილი საფონდო: 150118

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB512V

ERA-6YEB512V

ნაწილი საფონდო: 107749

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ912U

ERJ-1WYJ912U

ნაწილი საფონდო: 822

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB362V

ERA-6YEB362V

ნაწილი საფონდო: 169975

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ9R1U

ERJ-1WYJ9R1U

ნაწილი საფონდო: 962

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -100/ +600ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB681V

ERA-6YEB681V

ნაწილი საფონდო: 192918

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ394U

ERJ-1WYJ394U

ნაწილი საფონდო: 874

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ754U

ERJ-1WYJ754U

ნაწილი საფონდო: 845

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB622V

ERA-6YEB622V

ნაწილი საფონდო: 129750

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ225U

ERJ-1WYJ225U

ნაწილი საფონდო: 970

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -400/ +150ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB472V

ERA-6YEB472V

ნაწილი საფონდო: 119366

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP3MF3M0U

ERJ-MP3MF3M0U

ნაწილი საფონდო: 136281

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB104V

ERA-6YEB104V

ნაწილი საფონდო: 198803

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YEB102V

ERA-3YEB102V

ნაწილი საფონდო: 122532

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YEB243V

ERA-3YEB243V

ნაწილი საფონდო: 128907

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB682V

ERA-6YEB682V

ნაწილი საფონდო: 198031

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ623U

ERJ-1WYJ623U

ნაწილი საფონდო: 109326

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB102V

ERA-6YEB102V

ნაწილი საფონდო: 132679

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YEB752V

ERA-3YEB752V

ნაწილი საფონდო: 105328

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YEB821V

ERA-3YEB821V

ნაწილი საფონდო: 175819

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ364U

ERJ-1WYJ364U

ნაწილი საფონდო: 832

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYJ914U

ERJ-1WYJ914U

ნაწილი საფონდო: 831

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-1WYF154U

ERJ-1WYF154U

ნაწილი საფონდო: 932

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი