ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERJ-MP2MF2M0U

ERJ-MP2MF2M0U

ნაწილი საფონდო: 147727

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2700X

ERA-2HEC2700X

ნაწილი საფონდო: 179441

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB59R0X

ERA-2HEB59R0X

ნაწილი საფონდო: 195571

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP4PF1M0U

ERJ-MP4PF1M0U

ნაწილი საფონდო: 178581

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB63R4X

ERA-2HEB63R4X

ნაწილი საფონდო: 184584

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2491X

ERA-2HEC2491X

ნაწილი საფონდო: 115480

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1690X

ERA-2HEB1690X

ნაწილი საფონდო: 179560

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC4531X

ERA-2HEC4531X

ნაწილი საფონდო: 118887

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB3001X

ERA-2HEB3001X

ნაწილი საფონდო: 180549

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC4301X

ERA-2HEC4301X

ნაწილი საფონდო: 153666

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP3PF4M0U

ERJ-MP3PF4M0U

ნაწილი საფონდო: 2912

წინააღმდეგობა: 4 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD40R2X

ERA-2HHD40R2X

ნაწილი საფონდო: 198615

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC5230X

ERA-2HEC5230X

ნაწილი საფონდო: 3245

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD15R8X

ERA-2HKD15R8X

ნაწილი საფონდო: 131036

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC4991X

ERA-2HEC4991X

ნაწილი საფონდო: 182269

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP2MF7M0U

ERJ-MP2MF7M0U

ნაწილი საფონდო: 2802

წინააღმდეგობა: 7 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1822X

ERA-2HEC1822X

ნაწილი საფონდო: 160616

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB9101X

ERA-2HEB9101X

ნაწილი საფონდო: 181204

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD38R3X

ERA-2HHD38R3X

ნაწილი საფონდო: 112302

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC54R9X

ERA-2HRC54R9X

ნაწილი საფონდო: 117331

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB2211X

ERA-2HEB2211X

ნაწილი საფონდო: 108244

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1370X

ERA-2HEB1370X

ნაწილი საფონდო: 133126

წინააღმდეგობა: 137 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1201X

ERA-2HEB1201X

ნაწილი საფონდო: 118390

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB9090X

ERA-2HEB9090X

ნაწილი საფონდო: 161167

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD14R0X

ERA-2HKD14R0X

ნაწილი საფონდო: 122538

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD10R7X

ERA-2HKD10R7X

ნაწილი საფონდო: 171935

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB2940X

ERA-2HEB2940X

ნაწილი საფონდო: 122295

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP2MF8M0U

ERJ-MP2MF8M0U

ნაწილი საფონდო: 2826

წინააღმდეგობა: 8 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB78R7X

ERA-2HEB78R7X

ნაწილი საფონდო: 170584

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1501X

ERA-2HEB1501X

ნაწილი საფონდო: 122739

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC4220X

ERA-2HEC4220X

ნაწილი საფონდო: 164314

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC9090X

ERA-2HEC9090X

ნაწილი საფონდო: 168924

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3241X

ERA-2HEC3241X

ნაწილი საფონდო: 160594

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD10R0X

ERA-2HKD10R0X

ნაწილი საფონდო: 100277

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB5600X

ERA-2HEB5600X

ნაწილი საფონდო: 168292

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1870X

ERA-2HEC1870X

ნაწილი საფონდო: 176116

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი