კერამიკული კონდენსატორები

ECJ-2VB1C683K

ECJ-2VB1C683K

ნაწილი საფონდო: 3699

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB1E106M

ECJ-3YB1E106M

ნაწილი საფონდო: 5502

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E223K

ECJ-1VB1E223K

ნაწილი საფონდო: 328

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H392K

ECJ-1VB1H392K

ნაწილი საფონდო: 572

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E473K

ECJ-1VB1E473K

ნაწილი საფონდო: 5966

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1C473K

ECJ-2VB1C473K

ნაწილი საფონდო: 3011

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-T3G120JG

ECC-T3G120JG

ნაწილი საფონდო: 6467

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 4000V (4kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VF1A105Z

ECJ-1VF1A105Z

ნაწილი საფონდო: 7556

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-4YB1E225K

ECJ-4YB1E225K

ნაწილი საფონდო: 240

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2FB1A475K

ECJ-2FB1A475K

ნაწილი საფონდო: 1058

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECD-GZE2R7B

ECD-GZE2R7B

ნაწილი საფონდო: 2999

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-HVB0J475K

ECJ-HVB0J475K

ნაწილი საფონდო: 4499

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E273K

ECJ-1VB1E273K

ნაწილი საფონდო: 7229

ტევადობა: 0.027µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB1A475K

ECJ-3YB1A475K

ნაწილი საფონდო: 107078

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E123K

ECJ-1VB1E123K

ნაწილი საფონდო: 6591

ტევადობა: 0.012µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H562K

ECJ-1VB1H562K

ნაწილი საფონდო: 2407

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YF1C106Z

ECJ-3YF1C106Z

ნაწილი საფონდო: 9533

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H152K

ECJ-1VB1H152K

ნაწილი საფონდო: 277

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C563K

ECJ-1VB1C563K

ნაწილი საფონდო: 9993

ტევადობა: 0.056µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB0J475M

ECJ-1VB0J475M

ნაწილი საფონდო: 6888

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-T3G100DG2

ECC-T3G100DG2

ნაწილი საფონდო: 9361

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 4000V (4kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VF1C104Z

ECJ-1VF1C104Z

ნაწილი საფონდო: 5092

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C823K

ECJ-1VB1C823K

ნაწილი საფონდო: 7650

ტევადობა: 0.082µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H153K

ECJ-1VB1H153K

ნაწილი საფონდო: 3248

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H682K

ECJ-1VB1H682K

ნაწილი საფონდო: 10028

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VF1H223Z

ECJ-1VF1H223Z

ნაწილი საფონდო: 4654

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YB1E225K

ECJ-3YB1E225K

ნაწილი საფონდო: 4386

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2YB1A105K

ECJ-2YB1A105K

ნაწილი საფონდო: 587

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECD-GZE1R3B

ECD-GZE1R3B

ნაწილი საფონდო: 4976

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-2FB1A225K

ECJ-2FB1A225K

ნაწილი საფონდო: 2639

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VF1H333Z

ECJ-1VF1H333Z

ნაწილი საფონდო: 8738

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E103K

ECJ-1VB1E103K

ნაწილი საფონდო: 344

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-GVB0J225K

ECJ-GVB0J225K

ნაწილი საფონდო: 8500

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E393K

ECJ-1VB1E393K

ნაწილი საფონდო: 8950

ტევადობა: 0.039µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB1A684K

ECJ-2YB1A684K

ნაწილი საფონდო: 6268

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VF1H473Z

ECJ-1VF1H473Z

ნაწილი საფონდო: 8368

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი