კერამიკული კონდენსატორები

ECJ-3YB0J106K

ECJ-3YB0J106K

ნაწილი საფონდო: 4645

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3F470JGE

ECC-D3F470JGE

ნაწილი საფონდო: 6657

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-T3A391KB

ECK-T3A391KB

ნაწილი საფონდო: 1375

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3FB2A223K

ECJ-3FB2A223K

ნაწილი საფონდო: 5469

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB1E824K

ECJ-3YB1E824K

ნაწილი საფონდო: 7190

ტევადობა: 0.82µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB1H473K

ECJ-2YB1H473K

ნაწილი საფონდო: 2570

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB0J475K

ECJ-3YB0J475K

ნაწილი საფონდო: 5768

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3VB1C104K

ECJ-3VB1C104K

ნაწილი საფონდო: 5699

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB1C225K

ECJ-3YB1C225K

ნაწილი საფონდო: 5866

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VF1C684Z

ECJ-2VF1C684Z

ნაწილი საფონდო: 6603

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3VB1E224K

ECJ-3VB1E224K

ნაწილი საფონდო: 7448

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FB1H563K

ECJ-2FB1H563K

ნაწილი საფონდო: 8535

ტევადობა: 0.056µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VC2A100D

ECJ-1VC2A100D

ნაწილი საფონდო: 8443

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB1H104K

ECJ-2YB1H104K

ნაწილი საფონდო: 7206

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-GVB1C475M

ECJ-GVB1C475M

ნაწილი საფონდო: 4759

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3FC2D471J

ECJ-3FC2D471J

ნაწილი საფონდო: 1806

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-D3F270JGE

ECC-D3F270JGE

ნაწილი საფონდო: 5270

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YB1E564K

ECJ-3YB1E564K

ნაწილი საფონდო: 4426

ტევადობა: 0.56µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FB1H823K

ECJ-2FB1H823K

ნაწილი საფონდო: 6340

ტევადობა: 0.082µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB0J155K

ECJ-2YB0J155K

ნაწილი საფონდო: 840

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3VB1C274K

ECJ-3VB1C274K

ნაწილი საფონდო: 7483

ტევადობა: 0.27µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-D3F680JGE

ECC-D3F680JGE

ნაწილი საფონდო: 2111

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECC-D3F101JGE

ECC-D3F101JGE

ნაწილი საფონდო: 7890

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2FB0J335K

ECJ-2FB0J335K

ნაწილი საფონდო: 8052

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C473K

ECJ-1VB1C473K

ნაწილი საფონდო: 6680

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C333K

ECJ-1VB1C333K

ნაწილი საფონდო: 8714

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB0J224M

ECJ-ZEB0J224M

ნაწილი საფონდო: 3941

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3F330JGE

ECC-D3F330JGE

ნაწილი საფონდო: 4877

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2YB1A824K

ECJ-2YB1A824K

ნაწილი საფონდო: 8625

ტევადობა: 0.82µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3FB2A473K

ECJ-3FB2A473K

ნაწილი საფონდო: 7355

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FF1C225Z

ECJ-2FF1C225Z

ნაწილი საფონდო: 4891

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-T3A471KB

ECK-T3A471KB

ნაწილი საფონდო: 1502

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EB1C153K

ECJ-0EB1C153K

ნაწილი საფონდო: 3061

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-D3F390JGE

ECC-D3F390JGE

ნაწილი საფონდო: 3581

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECC-D3F151JGE

ECC-D3F151JGE

ნაწილი საფონდო: 3968

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3FB2D153K

ECJ-3FB2D153K

ნაწილი საფონდო: 8361

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი