კერამიკული კონდენსატორები

ECJ-3VB1C334K

ECJ-3VB1C334K

ნაწილი საფონდო: 9815

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB0J684K

ECJ-1VB0J684K

ნაწილი საფონდო: 7359

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YF1E684Z

ECJ-3YF1E684Z

ნაწილი საფონდო: 9806

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3F180JGE

ECC-D3F180JGE

ნაწილი საფონდო: 1098

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YF1A106Z

ECJ-3YF1A106Z

ნაწილი საფონდო: 4143

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YF1E225Z

ECJ-3YF1E225Z

ნაწილი საფონდო: 5541

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YB1E105K

ECJ-3YB1E105K

ნაწილი საფონდო: 8299

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3VF1C105Z

ECJ-3VF1C105Z

ნაწილი საფონდო: 4316

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YF1C475Z

ECJ-3YF1C475Z

ნაწილი საფონდო: 8549

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3D221JGE

ECC-D3D221JGE

ნაწილი საფონდო: 1639

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VB0J474K

ECJ-1VB0J474K

ნაწილი საფონდო: 9616

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2FB2D103K

ECJ-2FB2D103K

ნაწილი საფონდო: 9198

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB0J682K

ECJ-ZEB0J682K

ნაწილი საფონდო: 9947

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1C683K

ECJ-0EB1C683K

ნაწილი საფონდო: 4583

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3VB1C684K

ECJ-3VB1C684K

ნაწილი საფონდო: 684

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-D3D181JGE

ECC-D3D181JGE

ნაწილი საფონდო: 5683

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YB1C105K

ECJ-3YB1C105K

ნაწილი საფონდო: 1057

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB1C394K

ECJ-2YB1C394K

ნაწილი საფონდო: 7809

ტევადობა: 0.39µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3VB1C474K

ECJ-3VB1C474K

ნაწილი საფონდო: 5237

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1A124K

ECJ-1VB1A124K

ნაწილი საფონდო: 1287

ტევადობა: 0.12µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3D151JGE

ECC-D3D151JGE

ნაწილი საფონდო: 1686

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YB1A225K

ECJ-3YB1A225K

ნაწილი საფონდო: 1810

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2VF1H103Z

ECJ-2VF1H103Z

ნაწილი საფონდო: 895

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2VB1E683K

ECJ-2VB1E683K

ნაწილი საფონდო: 8227

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FF1A475Z

ECJ-2FF1A475Z

ნაწილი საფონდო: 143398

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3VB1C224K

ECJ-3VB1C224K

ნაწილი საფონდო: 2181

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB1H683K

ECJ-2YB1H683K

ნაწილი საფონდო: 1131

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3VB1C124K

ECJ-3VB1C124K

ნაწილი საფონდო: 7768

ტევადობა: 0.12µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H333K

ECJ-2VB1H333K

ნაწილი საფონდო: 1160

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VF1H333Z

ECJ-2VF1H333Z

ნაწილი საფონდო: 8093

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2VF1H154Z

ECJ-2VF1H154Z

ნაწილი საფონდო: 8008

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2YF1A475Z

ECJ-2YF1A475Z

ნაწილი საფონდო: 6055

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2YB1E184K

ECJ-2YB1E184K

ნაწილი საფონდო: 3279

ტევადობა: 0.18µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VF1E104Z

ECJ-2VF1E104Z

ნაწილი საფონდო: 8007

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VF1E683Z

ECJ-1VF1E683Z

ნაწილი საფონდო: 111928

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2YF1C155Z

ECJ-2YF1C155Z

ნაწილი საფონდო: 1641

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი