კერამიკული კონდენსატორები

ECD-GZE1R2B

ECD-GZE1R2B

ნაწილი საფონდო: 1082

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-4YB1H105K

ECJ-4YB1H105K

ნაწილი საფონდო: 8484

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H332K

ECJ-1VB1H332K

ნაწილი საფონდო: 1398

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-GVB0J475M

ECJ-GVB0J475M

ნაწილი საფონდო: 7890

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E221K

ECJ-0EB1E221K

ნაწილი საფონდო: 449

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FB1A335K

ECJ-2FB1A335K

ნაწილი საფონდო: 461

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H392K

ECJ-0EB1H392K

ნაწილი საფონდო: 1063

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1A154K

ECJ-1VB1A154K

ნაწილი საფონდო: 3111

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H121K

ECJ-0EB1H121K

ნაწილი საფონდო: 3942

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H182K

ECJ-0EB1H182K

ნაწილი საფონდო: 7897

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E3R3C

ECD-G0E3R3C

ნაწილი საფონდო: 3582

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-0EF1H103Z

ECJ-0EF1H103Z

ნაწილი საფონდო: 6041

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E151K

ECJ-0EB1E151K

ნაწილი საფონდო: 3797

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H102K

ECJ-0EB1H102K

ნაწილი საფონდო: 9546

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H473K

ECJ-1VB1H473K

ნაწილი საფონდო: 6848

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FB1A684K

ECJ-2FB1A684K

ნაწილი საფონდო: 2552

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E822K

ECJ-0EB1E822K

ნაწილი საფონდო: 304

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E120J

ECD-G0E120J

ნაწილი საფონდო: 6232

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECD-G0E5R6C

ECD-G0E5R6C

ნაწილი საფონდო: 8383

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-0EF0J105Z

ECJ-0EF0J105Z

ნაწილი საფონდო: 3003

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C123K

ECJ-1VB1C123K

ნაწილი საფონდო: 4090

ტევადობა: 0.012µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EBFJ105K

ECJ-0EBFJ105K

ნაწილი საფონდო: 8763

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-HVB0J475M

ECJ-HVB0J475M

ნაწილი საფონდო: 3461

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3FB2J222K

ECJ-3FB2J222K

ნაწილი საფონდო: 419

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VB1E104K

ECJ-1VB1E104K

ნაწილი საფონდო: 425

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-4YB0J107M

ECJ-4YB0J107M

ნაწილი საფონდო: 9649

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E121K

ECJ-0EB1E121K

ნაწილი საფონდო: 623

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EF1H102Z

ECJ-0EF1H102Z

ნაწილი საფონდო: 6955

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EF1E103Z

ECJ-0EF1E103Z

ნაწილი საფონდო: 1054

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H681K

ECJ-0EB1H681K

ნაწილი საფონდო: 6908

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C183K

ECJ-1VB1C183K

ნაწილი საფონდო: 3029

ტევადობა: 0.018µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H222K

ECJ-0EB1H222K

ნაწილი საფონდო: 538

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EF1H472Z

ECJ-0EF1H472Z

ნაწილი საფონდო: 9805

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H101K

ECJ-0EB1H101K

ნაწილი საფონდო: 9780

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E3R9C

ECD-G0E3R9C

ნაწილი საფონდო: 5173

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-0EB1E103K

ECJ-0EB1E103K

ნაწილი საფონდო: 8812

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი