კერამიკული კონდენსატორები

ECD-G0E8R2C

ECD-G0E8R2C

ნაწილი საფონდო: 3718

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-2FB1C684K

ECJ-2FB1C684K

ნაწილი საფონდო: 5480

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EF1C473Z

ECJ-0EF1C473Z

ნაწილი საფონდო: 4217

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H272K

ECJ-0EB1H272K

ნაწილი საფონდო: 10000

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EF1C104Z

ECJ-0EF1C104Z

ნაწილი საფონდო: 2770

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EF1E102Z

ECJ-0EF1E102Z

ნაწილი საფონდო: 4516

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H333K

ECJ-1VB1H333K

ნაწილი საფონდო: 3662

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EF1E222Z

ECJ-0EF1E222Z

ნაწილი საფონდო: 6728

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VF1C105Z

ECJ-1VF1C105Z

ნაწილი საფონდო: 4589

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1A684K

ECJ-1VB1A684K

ნაწილი საფონდო: 6387

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3FB2J472K

ECJ-3FB2J472K

ნაწილი საფონდო: 3343

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EF1A224Z

ECJ-0EF1A224Z

ნაწილი საფონდო: 5059

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E683K

ECJ-1VB1E683K

ნაწილი საფონდო: 5452

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E682K

ECJ-0EB1E682K

ნაწილი საფონდო: 9841

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E150J

ECD-G0E150J

ნაწილი საფონდო: 3760

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-0EB1E101K

ECJ-0EB1E101K

ნაწილი საფონდო: 319

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H273K

ECJ-1VB1H273K

ნაწილი საფონდო: 5480

ტევადობა: 0.027µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EX1C104K

ECJ-0EX1C104K

ნაწილი საფონდო: 1863

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C153K

ECJ-1VB1C153K

ნაწილი საფონდო: 2955

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H393K

ECJ-1VB1H393K

ნაწილი საფონდო: 860

ტევადობა: 0.039µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3F102MEH

ECK-A3F102MEH

ნაწილი საფონდო: 7185

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C,

სასურველი
ECJ-0EB0J224K

ECJ-0EB0J224K

ნაწილი საფონდო: 520

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C103K

ECJ-1VB1C103K

ნაწილი საფონდო: 7544

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB0J225K

ECJ-1VB0J225K

ნაწილი საფონდო: 4005

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E562K

ECJ-0EB1E562K

ნაწილი საფონდო: 8208

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E181K

ECJ-0EB1E181K

ნაწილი საფონდო: 1176

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YX1C106K

ECJ-3YX1C106K

ნაწილი საფონდო: 2728

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E563K

ECJ-1VB1E563K

ნაწილი საფონდო: 6162

ტევადობა: 0.056µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H183K

ECJ-1VB1H183K

ნაწილი საფონდო: 2966

ტევადობა: 0.018µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H332K

ECJ-0EB1H332K

ნაწილი საფონდო: 4836

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H221K

ECJ-0EB1H221K

ნაწილი საფონდო: 5431

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VBFJ475K

ECJ-1VBFJ475K

ნაწილი საფონდო: 2993

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H561K

ECJ-0EB1H561K

ნაწილი საფონდო: 2522

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H223K

ECJ-1VB1H223K

ნაწილი საფონდო: 7970

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H151K

ECJ-0EB1H151K

ნაწილი საფონდო: 6068

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1H271K

ECJ-0EB1H271K

ნაწილი საფონდო: 9851

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი